长江存储（YMTC）推出第五代3D TLC NAND闪存，成为全球NAND闪存市场有力竞争者

上个月，有报道称长江存储（YMTC）已经成功推出第五代3D TLC NAND闪存，这款新产品的层数达到294层，其中包括232个有源层。长江存储通过提高密度，成功达到了与行业标准相同的水平，并实现了目前商业产品中最高的垂直栅密度，这使其在全球NAND闪存市场中成为了一个强有力的竞争者。

三星或将采用长江存储专利混合键合技术

根据TrendForce的报告，三星计划从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。预计三星将在2025年下半年启动第10代V-NAND闪存的量产，届时其层数预计将达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议谈判。

长江存储晶栈（Xtacking）架构的技术优势

大约四年前，长江存储率先将名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存，并逐步积累了强大的专利组合。三星此前在其NAND闪存产品中使用了COP（Cell-on-Periphery）结构，将外围电路放置在一块晶圆上，再在其上堆叠存储单元。但随着层数的增加，特别是超过400层时，下层外围电路对可靠性的影响变得显著。通过采用长江存储的混合键合技术，三星成功消除了对凸块的依赖，缩短了电路路径，从而提升了性能和散热性。

Xperi、长江存储与台积电在混合键合技术领域的专利布局

目前，Xperi、长江存储和台积电（TSMC）在混合键合技术领域拥有大多数相关专利。三星之所以选择与长江存储合作，主要是因为未来第11代和第12代V-NAND闪存的发展，将无法绕开长江存储的专利壁垒。